Cible de pulvérisation en tungstène
| Raffinage | Procédé électrolytique à trois couches |
| Fusion et coulée | Four à résistance électrique - Coulée semi-continue |
| Raffinement du grain | Traitement thermomécanique |
| Nettoyage et emballage final - Nettoyé pour une utilisation sous vide | Protection contre les contaminants environnementaux Protection pendant l'expédition |
| Applications | • Semi-conducteur • Dépôt chimique en phase vapeur (CVD) • Affichage du dépôt physique en phase vapeur (PVD) |
| Caractéristiques | • Des prix compétitifs • Haute pureté • Microstructure sophistiquée et raffinée du grain • Qualité semi-conducteur |
